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4527383IS61NLP51236-200B3LI-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61NLP51236-200B3LI-TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS61NLP51236-200B3LI-TR
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IS61NLP51236-200B3LI-TR.pdf
    2.IS61NLP51236-200B3LI-TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-TFBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    165-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    3.1ns

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

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