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7004126IS61WV6416EEBLL-10TLI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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  • Artikelnummer
    IS61WV6416EEBLL-10TLI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS61WV6416EEBLL-10TLI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    2.4 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP2
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP2
  • Zugriffszeit
    10ns

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Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP2

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP2

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

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Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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