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Halle C5 Stand 220

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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > DNA30EM2200PZ
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1219337DNA30EM2200PZ-Bild.IXYS Corporation

DNA30EM2200PZ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DNA30EM2200PZ
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.26V @ 30A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    2200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263 (D2Pak)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    DNA30EM2200PZCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 2200V 30A Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    40µA @ 2200V
  • Strom - Richt (Io)
    30A
  • Kapazität @ Vr, F
    7pF @ 700V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    DNA30EM2200
VSKE320-04

VSKE320-04

Beschreibung: DIODE GP 400V 320A MAGNAPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
AS3PDHM3/87A

AS3PDHM3/87A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
DNA30E2200PC

DNA30E2200PC

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
1N4935GHB0G

1N4935GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
DNA30E2200PA

DNA30E2200PA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC

Hersteller: IXYS
vorrätig
BYG23MHE3/TR

BYG23MHE3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
DNA30E2200FE

DNA30E2200FE

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

Hersteller: IXYS
vorrätig
DST860S

DST860S

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277B

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
DSEP60-025A

DSEP60-025A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD

Hersteller: IXYS
vorrätig
FDH333TR

FDH333TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MBRB10H60HE3_A/I

MBRB10H60HE3_A/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
V20PW60-M3/I

V20PW60-M3/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DNA30E2200PZ

DNA30E2200PZ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
DNA30E2200PC-TUB

DNA30E2200PC-TUB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS
vorrätig
VS-10ETF12SLHM3

VS-10ETF12SLHM3

Beschreibung: DIODES - D2PAK-E3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
STTH2R06

STTH2R06

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
V12P45-M3/86A

V12P45-M3/86A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 4.3A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MBRF760 C0G

MBRF760 C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SS3P5L-M3/86A

SS3P5L-M3/86A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 3A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DNA30EM2200PC

DNA30EM2200PC

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS Corporation
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