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FMD15-06KC5

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FMD15-06KC5
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FMD15-06KC5.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 790µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOPLUS i4-PAC™
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 12A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOPLUSi5-Pak™
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 15A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    15A (Tc)

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Das Folgende sind "FMD15-06KC5" -Einziper.
FMD15.24G

FMD15.24G

Beschreibung: DC/DC CONVERTER 24V 1500W

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AOK27S60L

AOK27S60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 27A TO247

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
FMD6D0154K02L

FMD6D0154K02L

Beschreibung: CAP FILM 0.15UF 10% 250VDC RAD

Hersteller: AVX Corporation
vorrätig
RFQ
FMD-4206S

FMD-4206S

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO3PF

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
IRF1324STRL-7PP

IRF1324STRL-7PP

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
R5016FNX

R5016FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FMD-4204S

FMD-4204S

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 20A TO3PF

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
IRF740STRRPBF

IRF740STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FMD80-0045PS

FMD80-0045PS

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 150A I4-PAC-5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FMD411

FMD411

Beschreibung: DIN-RAIL FOR D411

Hersteller: Carlo Gavazzi
vorrätig
RFQ
FMD21-05QC

FMD21-05QC

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FMD47-06KC5

FMD47-06KC5

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
NVMFS5A160PLZT3G

NVMFS5A160PLZT3G

Beschreibung: -60V7.7MOHMSINGLE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NTD60N02RT4

NTD60N02RT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FMD40-06KC

FMD40-06KC

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
FMD-G26S

FMD-G26S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
FDW264P

FDW264P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.7A 8-TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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