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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > IXBR42N170
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2119537IXBR42N170-Bild.IXYS Corporation

IXBR42N170

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vorrätig
30+
$32.844
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXBR42N170
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IXBR42N170.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1700V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 42A
  • Testbedingung
    -
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    -
  • Schaltenergie
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOPLUS247™
  • Serie
    BIMOSFET™
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.32µs
  • Leistung - max
    200W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOPLUS247™
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • Gate-Ladung
    188nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT 1700V 57A 200W Through Hole ISOPLUS247™
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    300A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    57A
  • Basisteilenummer
    IXB*42N170

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Das Folgende sind "IXBR42N170" -Einziper.
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

Beschreibung: IGBT 3600V 70A TO-268HV

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-15R

IXBOD2-15R

Beschreibung: THYRISTOR RADIAL

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT2N250

IXBT2N250

Beschreibung: IGBT 2500V 5A 32W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-08

IXBOD2-08

Beschreibung: BREAKOVER DIODE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT24N170

IXBT24N170

Beschreibung: IGBT 1700V 60A 250W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-10

IXBOD2-10

Beschreibung: BREAKOVER DIODE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-12

IXBOD2-12

Beschreibung: BREAKOVER DIODE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT16N170A

IXBT16N170A

Beschreibung: IGBT 1700V 16A 150W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT20N300

IXBT20N300

Beschreibung: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

Beschreibung: IGBT

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-56R

IXBOD2-56R

Beschreibung: THYRISTOR RADIAL

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-11

IXBOD2-11

Beschreibung: BREAKOVER DIODE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

Beschreibung: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-09

IXBOD2-09

Beschreibung: BREAKOVER DIODE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT10N170

IXBT10N170

Beschreibung: IGBT 1700V 20A 140W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

Beschreibung: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBP5N160G

IXBP5N160G

Beschreibung: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBT12N300

IXBT12N300

Beschreibung: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-50R

IXBOD2-50R

Beschreibung: THYRISTOR RADIAL

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXBOD2-13

IXBOD2-13

Beschreibung: BREAKOVER DIODE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
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