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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > IXER35N120D1
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4147660IXER35N120D1-Bild.IXYS Corporation

IXER35N120D1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXER35N120D1
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 50A 200W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IXER35N120D1.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 35A
  • Testbedingung
    600V, 35A, 39 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    -
  • Schaltenergie
    5.4mJ (on), 2.6mJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOPLUS247™
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    80ns
  • Leistung - max
    200W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOPLUS247™
  • Andere Namen
    Q1370333
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    150nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247™
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    50A

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Das Folgende sind "IXER35N120D1" -Einziper.
IXEH40N120

IXEH40N120

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRGP6640DPBF

IRGP6640DPBF

Beschreibung: IGBT 600V 53A 200W TO247AC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXEL40N400

IXEL40N400

Beschreibung: IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXE611S1T/R

IXE611S1T/R

Beschreibung: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRG4BC20FD

IRG4BC20FD

Beschreibung: IGBT 600V 16A 60W TO220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRG7CH73UED-R

IRG7CH73UED-R

Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXE611P1

IXE611P1

Beschreibung: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Beschreibung: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXEN60N120D1

IXEN60N120D1

Beschreibung: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXEN60N120

IXEN60N120

Beschreibung: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXEH25N120D1

IXEH25N120D1

Beschreibung: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RGT16NS65DGTL

RGT16NS65DGTL

Beschreibung: IGBT 650V 16A 94W TO-263S

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXEH40N120D1

IXEH40N120D1

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXXX100N60C3H1

IXXX100N60C3H1

Beschreibung: IGBT 600V 170A 695W PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXE611S1

IXE611S1

Beschreibung: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11

Beschreibung: IGBT 650V 70A 234W TO-247N

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SGS10N60RUFDTU

SGS10N60RUFDTU

Beschreibung: IGBT 600V 16A 55W TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Beschreibung: IGBT 900V 72A 417W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IXEH25N120

IXEH25N120

Beschreibung: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXER60N120

IXER60N120

Beschreibung: IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
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