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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXFA12N50P

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471376

IXFA12N50P-Bild.

IXYS Corporation

IXFA12N50P

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vorrätig

50+

$2.691

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

IXFA12N50P
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFA12N50P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (IXFA)
Serie

HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

200W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFA12N50P" -Einziper.

IXFA102N15T

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA130N15X3

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXF611P1

IXF611P1

Beschreibung: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA110N15T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA20N50P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA12N65X2

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA180N10T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA14N85XHV

Beschreibung: MOSFET N-CH 850V 14A TO263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA16N50P

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA16N60P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXF611S1T/R

IXF611S1T/R

Beschreibung: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA14N60P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA18N60X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA14N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA10N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 10A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA130N10T

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXF611S1

IXF611S1

Beschreibung: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA10N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA130N10T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFA16N50P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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