Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > IXGM40N60
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2906062

IXGM40N60

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXGM40N60
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    POWER MOSFET TO-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Testbedingung
    480V, 40A, 22 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    100ns/600ns
  • Schaltenergie
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-204AE
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    200ns
  • Leistung - max
    250W
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-204AE
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • Gate-Ladung
    250nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-204AE
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    150A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    75A

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "IXGM40N60" -Einziper.
IXGN120N60A3

IXGN120N60A3

Beschreibung: IGBT 200A 600V SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGN200N60

IXGN200N60

Beschreibung: IGBT 300A 600V SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGN100N120

IXGN100N120

Beschreibung: IGBT 160A 1200V SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGM40N60A

IXGM40N60A

Beschreibung: IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGL75N250

IXGL75N250

Beschreibung: IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGN200N170

IXGN200N170

Beschreibung: IGBT

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGL200N60B3

IXGL200N60B3

Beschreibung: IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGN200N60A

IXGN200N60A

Beschreibung: IGBT 300A 600V SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGM20N60

IXGM20N60

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGM40N60AL

IXGM40N60AL

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGL50N60BD1

IXGL50N60BD1

Beschreibung: IGBT 600V ISOPLUS264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGM25N100A

IXGM25N100A

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGK82N120B3

IXGK82N120B3

Beschreibung: IGBT 1200V 230A 1250W TO264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGK82N120A3

IXGK82N120A3

Beschreibung: IGBT 1200V 260A 1250W TO264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGM30N60

IXGM30N60

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGN120N60A3D1

IXGN120N60A3D1

Beschreibung: IGBT 200A 600V SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGN100N170

IXGN100N170

Beschreibung: IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGM17N100A

IXGM17N100A

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGN100N160A

IXGN100N160A

Beschreibung: IGBT 200A 1600V SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXGM20N60A

IXGM20N60A

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.