Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTY01N80
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5186284

IXTY01N80

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
50+
$1.61
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXTY01N80
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IXTY01N80.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252AA
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 Ohm @ 100mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    25W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    60pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100mA (Tc)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "IXTY01N80" -Einziper.
IXTX600N04T2

IXTX600N04T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY01N100

IXTY01N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY08N50D2

IXTY08N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTX90N25L2

IXTX90N25L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY01N100D

IXTY01N100D

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY08N100P

IXTY08N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTX60N50L2

IXTX60N50L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY02N50D

IXTY02N50D

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTX6N200P3HV

IXTX6N200P3HV

Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTX5N250

IXTX5N250

Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY10P15T

IXTY10P15T

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY06N120P

IXTY06N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY12N06T

IXTY12N06T

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY02N50D TRL

IXTY02N50D TRL

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY08N120P

IXTY08N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY02N120P

IXTY02N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTX90P20P

IXTX90P20P

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTX550N055T2

IXTX550N055T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTY08N100D2

IXTY08N100D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXTX8N150L

IXTX8N150L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.