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2557395IXUN280N10-Bild.IXYS Corporation

IXUN280N10

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXUN280N10
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IXUN280N10.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227B
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 140A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    770W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    18000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    440nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 280A (Tc) 770W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    280A (Tc)

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Das Folgende sind "IXUN280N10" -Einziper.
MCH3382-TL-W

MCH3382-TL-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AUIRLR024N

AUIRLR024N

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTMFS5H414NLT1G

NTMFS5H414NLT1G

Beschreibung: T8 40V LOW COSS

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXUV170N075

IXUV170N075

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
PMZ350XN,315

PMZ350XN,315

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IPP16CN10NGHKSA1

IPP16CN10NGHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPA65R1K5CEXKSA1

IPA65R1K5CEXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXUV170N075S

IXUV170N075S

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
TPH3205WSB

TPH3205WSB

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 36A TO247

Hersteller: Transphorm
vorrätig
RFQ
SI1473DH-T1-E3

SI1473DH-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FQD1N60TF

FQD1N60TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXUC160N075

IXUC160N075

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IXUN350N10

IXUN350N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
PSMN2R5-30YL,115

PSMN2R5-30YL,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IXUC200N055

IXUC200N055

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRF540STRL

IRF540STRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXUC100N055

IXUC100N055

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS-220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
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