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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > MDO500-12N1
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4946838MDO500-12N1-Bild.IXYS Corporation

MDO500-12N1

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10+
$117.546
25+
$113.436
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MDO500-12N1
  • Hersteller / Marke
    IXYS / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MDO500-12N1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1200A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Y1-CU
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Y1-CU
  • Andere Namen
    MDO50012N1
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 560A Chassis Mount Y1-CU
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    30mA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    560A
  • Kapazität @ Vr, F
    762pF @ 400V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    MD*500

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Das Folgende sind "MDO500-12N1" -Einziper.
MDO1201-22N1

MDO1201-22N1

Beschreibung: DIODE MODULE 2.2KV 1950A

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
MDO500-22N1

MDO500-22N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
UF5401-TP

UF5401-TP

Beschreibung: DIODE GP 50C 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
MDO1200-22N1

MDO1200-22N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MDO1200-14N1

MDO1200-14N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SF46GHB0G

SF46GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MDO1200-18N1

MDO1200-18N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MDO500-20N1

MDO500-20N1

Beschreibung: DIODE MODULE 2KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
MDO500-14N1

MDO500-14N1

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
IDC08D120T6MX1SA2

IDC08D120T6MX1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RFVS8TJ6SGC9

RFVS8TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACFP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MDO1200-16N1

MDO1200-16N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
VS-1N1204RA

VS-1N1204RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
MDO500-18N1

MDO500-18N1

Beschreibung: DIODE MODULE 1.8KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
80EPS08

80EPS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
MMSD71RKT1

MMSD71RKT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA SOD123

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MDO1200-20N1

MDO1200-20N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MDO600-16N1

MDO600-16N1

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 608A

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
RB160VAM-40TR

RB160VAM-40TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A TUMD2M

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MDO500-16N1

MDO500-16N1

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6KV 560A Y1-CU

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
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