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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > MIEB101H1200EH
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MIEB101H1200EH

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MIEB101H1200EH
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 100A
  • Supplier Device-Gehäuse
    E3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    630W
  • Verpackung / Gehäuse
    E3
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    7.43nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Full Bridge Inverter 1200V 183A 630W Chassis Mount E3
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    300µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    183A
  • Konfiguration
    Full Bridge Inverter
VS-GB70LA60UF

VS-GB70LA60UF

Beschreibung: IGBT 600V 111A 447W SOT-227

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GHIS060A060S-A2

GHIS060A060S-A2

Beschreibung: IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
FF200R12MT4BOMA1

FF200R12MT4BOMA1

Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
MII400-12E4

MII400-12E4

Beschreibung: IGBT 1.2KV 420A MODULE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
CM450DX-24S1

CM450DX-24S1

Beschreibung: IGBT MOD NX 450A 1200V DUAL

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
FF450R17ME4PBOSA1

FF450R17ME4PBOSA1

Beschreibung: MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
MIEB101W1200EH

MIEB101W1200EH

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 183A HEX

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MIEB100W1200TEH

MIEB100W1200TEH

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 183A HEX

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
APTGT300TL60G

APTGT300TL60G

Beschreibung: POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTGV50H120T3G

APTGV50H120T3G

Beschreibung: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
FS150R12KT4B11BOSA1

FS150R12KT4B11BOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE VCES 650V 150A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
2PS06017E32G28213NOSA1

2PS06017E32G28213NOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE 1100VDC 325A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
APTCV60HM45BC20T3G

APTCV60HM45BC20T3G

Beschreibung: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
IFS100B12N3E4PB11BPSA1

IFS100B12N3E4PB11BPSA1

Beschreibung: MOD IGBT LOW PWR ECONO

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U

Beschreibung: OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
CM400DU-5F

CM400DU-5F

Beschreibung: IGBT MOD DUAL 250V 400A F SER

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
APTGT50H170TG

APTGT50H170TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MWI100-12A8

MWI100-12A8

Beschreibung: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
APTGF30H60T3G

APTGF30H60T3G

Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
FMG2G300US60

FMG2G300US60

Beschreibung: IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-IA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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