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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > MII100-12A3
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MII100-12A3

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MII100-12A3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 75A
  • Supplier Device-Gehäuse
    Y4-M5
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    560W
  • Verpackung / Gehäuse
    Y4-M5
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    5.5nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 560W Chassis Mount Y4-M5
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    5mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    135A
  • Konfiguration
    Half Bridge
  • Basisteilenummer
    MII
MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

Beschreibung: IGBT 1200V 105A 630W PKG S

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
FF300R12ME4PBOSA1

FF300R12ME4PBOSA1

Beschreibung: MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
MII300-12A4

MII300-12A4

Beschreibung: MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MII75-12A3

MII75-12A3

Beschreibung: MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MII400-12E4

MII400-12E4

Beschreibung: IGBT 1.2KV 420A MODULE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MII300-12E4

MII300-12E4

Beschreibung: MOD IGBT NPT PHASE LEG Y3-LI

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MII145-12A3

MII145-12A3

Beschreibung: MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
FZ400R12KE3B1HOSA1

FZ400R12KE3B1HOSA1

Beschreibung: MOD IGBT MED PWR 62MM-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
APTGT150H170G

APTGT150H170G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTGF100A120TG

APTGF100A120TG

Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MII200-12A4

MII200-12A4

Beschreibung: MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MII150-12A4

MII150-12A4

Beschreibung: MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
PP600T120

PP600T120

Beschreibung: IGBT POW-R-PAC 3PH 600A 1200V

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
DF160R12W2H3FB11BPSA1

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Beschreibung: MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
2ED300C17STROHSBPSA1

2ED300C17STROHSBPSA1

Beschreibung: IGBT MODULE 1700V 30A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FP15R12W2T4BOMA1

FP15R12W2T4BOMA1

Beschreibung: IGBT MODULE VCES 600V 22A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FF200R12KE3HOSA1

FF200R12KE3HOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
APTGF30X60T3G

APTGF30X60T3G

Beschreibung: IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTGT580U60D4G

APTGT580U60D4G

Beschreibung: IGBT 600V 760A 1600W D4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTGT300DU60G

APTGT300DU60G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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