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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > MKI100-12F8
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MKI100-12F8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MKI100-12F8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 100A
  • Supplier Device-Gehäuse
    E3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    640W
  • Verpackung / Gehäuse
    E3
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    6.5nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 125A 640W Chassis Mount E3
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1.3mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    125A
  • Konfiguration
    Full Bridge Inverter
  • Basisteilenummer
    MKI
MKI75-06A7T

MKI75-06A7T

Beschreibung: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
FMS6G10US60S

FMS6G10US60S

Beschreibung: IGBT 600V 10A 25PM-AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FMS7G15US60S

FMS7G15US60S

Beschreibung: IGBT 600V 15A 25PM-AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MKI75-06A7

MKI75-06A7

Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MKI50-06A7T

MKI50-06A7T

Beschreibung: IGBT H-BRIDGE 72A 600V E2PACK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MKITDAC 9445/009

MKITDAC 9445/009

Beschreibung: ANTI-ROTATION TETHER KIT

Hersteller: BEI Sensors
vorrätig
MKI50-06A7

MKI50-06A7

Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
APTGT400DA120D3G

APTGT400DA120D3G

Beschreibung: IGBT 1200V 580A 2100W D3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
FD600R17KE3KB5NOSA1

FD600R17KE3KB5NOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE VCES 600V 600A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
MKI100-12E8

MKI100-12E8

Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MKI50-12E7

MKI50-12E7

Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
GHIS040A120S-A1

GHIS040A120S-A1

Beschreibung: IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
MKI75-12E8

MKI75-12E8

Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IRG7U100HF12B

IRG7U100HF12B

Beschreibung: MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
MKI80-06T6K

MKI80-06T6K

Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
CM900DU-24NF

CM900DU-24NF

Beschreibung: IGBT MOD DUAL 1200V 900A NF MEGA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
MKITPH

MKITPH

Beschreibung: MAKER KIT

Hersteller: Particle
vorrätig
APTGTQ100SK65T1G

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Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MKI65-06A7T

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Beschreibung: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
MKI50-12F7

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Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2

Hersteller: IXYS Corporation
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