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UGE0221AY4

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UGE0221AY4
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    4.8V @ 30A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    4800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    UGE
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    UGE
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 4800V 10.2A Chassis Mount UGE
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2mA @ 4800V
  • Strom - Richt (Io)
    10.2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    UGE
UGE1112AY4

UGE1112AY4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
UGE18DCT-E3/45

UGE18DCT-E3/45

Beschreibung: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DSEP30-12CR

DSEP30-12CR

Beschreibung: DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
UGE5HT-E3/45

UGE5HT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SK110-LP

SK110-LP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
UGE8JT-E3/45

UGE8JT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MUR320S M6G

MUR320S M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
UGE10CCT-E3/45

UGE10CCT-E3/45

Beschreibung: DIODE 10A 150V 20NS TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3JB M4G

ES3JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAV103

BAV103

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD80

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
UGE18CCT-E3/45

UGE18CCT-E3/45

Beschreibung: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5196UR

1N5196UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO213

Hersteller: Microsemi
vorrätig
FR104G R0G

FR104G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1DHE3/5AT

US1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
UGE3126AY4

UGE3126AY4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
UGE0421AY4

UGE0421AY4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3.2KV 22.9A UGE

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
UGE8HT-E3/45

UGE8HT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
UGE10DCT-E3/45

UGE10DCT-E3/45

Beschreibung: DIODE 10A 200V 20NS TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
U2D-M3/52T

U2D-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
UGE5JT-E3/45

UGE5JT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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