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65DN06ELEMXPSA1

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    65DN06ELEMXPSA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 8470A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    65DN06ELEMXPSA1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    980mV @ 10000A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-200AB, B-PUK
  • Andere Namen
    65DN06 ELEM
    65DN06 ELEM-ND
    SP000097526
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 180°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 8470A Chassis Mount
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100mA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    8470A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "65DN06ELEMXPSA1" -Einziper.
SR502 A0G

SR502 A0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES 1ZV0

ES 1ZV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
FESF8ATHE3/45

FESF8ATHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GP10-4002-M3S/73

GP10-4002-M3S/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG24D-E3/TR3

BYG24D-E3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS521LPQ-7B

BAS521LPQ-7B

Beschreibung: DIODE GP 325V 400MA X1-DFN1006-2

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SBR6045E3

SBR6045E3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
ES2GHM4G

ES2GHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RSFJLHRTG

RSFJLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4002GP-E3/73

1N4002GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TSS43L RWG

TSS43L RWG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 1005

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
JAN1N4148UB2

JAN1N4148UB2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5188

JANTX1N5188

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
S2K-13

S2K-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
65DN06ELEMPRXPSA1

65DN06ELEMPRXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8470A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
S5BHE3_A/I

S5BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
A399D

A399D

Beschreibung: DIODE FAST 400A 400V DO-200AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
VS-10ETF02STRR-M3

VS-10ETF02STRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DL4936-13

DL4936-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A MELF

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
20ETF08STRL

20ETF08STRL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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