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AUIRF5210S-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

AUIRF5210S

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Spezifikation

Artikelnummer

AUIRF5210S
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AUIRF5210S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 170W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SP001519218
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 100V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

38A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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AUIRF4905L

AUIRF4905L

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 74A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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