BCR 512 B6327

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Spezifikation

Artikelnummer

BCR 512 B6327
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BCR 512 B6327.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

330mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

BCR 512 B6327-ND
BCR512B6327
BCR512B6327XT
SP000056341
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

60 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA
Basisteilenummer

BCR512

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Das Folgende sind "BCR 512 B6327" -Einziper.

BCR 199F E6327

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BCR 512 B6327

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