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BCR185E6327HTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BCR185E6327HTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BCR185E6327HTSA1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

BCR 185 E6327CT
BCR 185 E6327CT-ND
BCR185E6327HTSA1CT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

BCR185

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Das Folgende sind "BCR185E6327HTSA1" -Einziper.

BCR183SH6327XTSA1

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BCR185E6327HTSA1

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