BCR198E6393HTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BCR198E6393HTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BCR198E6393HTSA1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SP000010818
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

190MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "BCR198E6393HTSA1" -Einziper.

BCR191WH6327XTSA1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BCR198E6393HTSA1

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