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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-RF > BGB 540 E6327
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2251939BGB 540 E6327-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BGB 540 E6327

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BGB 540 E6327
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BGB 540 E6327.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    3.5V
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-SOT343-4
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    120mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-82A, SOT-343
  • Andere Namen
    BGB 540 E6327-ND
    BGB540E6327
    BGB540E6327XT
    SP000013194
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Rauschzahl (dB Typ @ f)
    1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    16dB ~ 17.5dB
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    30mA

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Das Folgende sind "BGB 540 E6327" -Einziper.
BGB203H1S06UM

BGB203H1S06UM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 48VFQFN

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
TCS1200

TCS1200

Beschreibung: TRANSISTOR BIPO 55TU-1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
BFR 93AW E6327

BFR 93AW E6327

Beschreibung: TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BGB707L7ESDE6327XTSA1

BGB707L7ESDE6327XTSA1

Beschreibung: IC RF AMP 802.11A/B/G/N TSLP7-1

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
ON5089,115

ON5089,115

Beschreibung: RF IC TRANSPONDER

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BFG425W,135

BFG425W,135

Beschreibung: TRANS RF NPN 25GHZ 4.5V SOT343R

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BFS 483 E6327

BFS 483 E6327

Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
1000MP

1000MP

Beschreibung: TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55FW

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAX2601ESA+T

MAX2601ESA+T

Beschreibung: TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC

Hersteller: Maxim Integrated
vorrätig
RFQ
NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
MPSH11

MPSH11

Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BGB719N7ESDE6327XTMA1

BGB719N7ESDE6327XTMA1

Beschreibung: IC RF AMP FM 10MHZ-1GHZ TSNP7-6

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BGB741L7ESDE6327XTSA1

BGB741L7ESDE6327XTSA1

Beschreibung: IC AMP CELL 50MHZ-5.5GHZ TSLP7-1

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FMMT918TC

FMMT918TC

Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
61074

61074

Beschreibung: RF POWER TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
BFU520XRVL

BFU520XRVL

Beschreibung: TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143R

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G

Beschreibung: TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BGB717L7ESDE6327XTSA1

BGB717L7ESDE6327XTSA1

Beschreibung: IC AMP FM 76MHZ-108MHZ TSLP7-1

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BGB 420 E6327

BGB 420 E6327

Beschreibung: IC AMP 802.15 100MHZ-3GHZ SOT343

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
CM5160

CM5160

Beschreibung: TRANS PNP 60V 0.4A TO39

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
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