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6271338BS7067N06LS3G-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BS7067N06LS3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BS7067N06LS3G
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BS7067N06LS3G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 35µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TSDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.1W (Ta), 78W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Andere Namen
    BS7067N06LS3GINTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4800pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    14A (Ta), 20A (Tc)

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Das Folgende sind "BS7067N06LS3G" -Einziper.
IRFR9120NCPBF

IRFR9120NCPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SUM70090E-GE3

SUM70090E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STF5N60M2

STF5N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IXFQ30N60X

IXFQ30N60X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
BUK9E3R2-40B,127

BUK9E3R2-40B,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
AO4441

AO4441

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
AO3401AL_DELTA

AO3401AL_DELTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V SOT23

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
BSS670S2LH6433XTMA1

BSS670S2LH6433XTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDU6030BL

FDU6030BL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTQ72N30T

IXTQ72N30T

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FDP100N10

FDP100N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7452PBF

IRF7452PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF540STRLPBF

IRF540STRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TSM60N1R4CH C5G

TSM60N1R4CH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
C3M0120100K

C3M0120100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
RFQ
IPP70N10S3L12AKSA1

IPP70N10S3L12AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STWA48N60M2

STWA48N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
FDPF52N20T

FDPF52N20T

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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