Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > BSC019N02KSGAUMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
697993BSC019N02KSGAUMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC019N02KSGAUMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5000+
$1.042
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BSC019N02KSGAUMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 350µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.95 mOhm @ 50A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    2.8W (Ta), 104W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    BSC019N02KS G
    BSC019N02KS G-ND
    BSC019N02KSGAUMA1TR
    SP000307376
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    30A (Ta), 100A (Tc)
BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2

Beschreibung: LV POWER MOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC019N04NSGATMA1

BSC019N04NSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC016N03MSGATMA1

BSC016N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC020N025S G

BSC020N025S G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC022N03SG

BSC022N03SG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC018NE2LSIATMA1

BSC018NE2LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC022N03S

BSC022N03S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden