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BSC065N06LS5ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC065N06LS5ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC065N06LS5ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 32A, 10V
Verlustleistung (max)

46W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

SP001385614
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 64A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

64A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC065N06LS5ATMA1" -Einziper.

BSC061N08NS5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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