International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC084P03NS3EGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC084P03NS3EGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC084P03NS3EGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 110µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 69W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GTR-ND
BSC084P03NS3EGATMA1TR
SP000473012
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4240pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57.7nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14.9A (Ta), 78.6A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC084P03NS3EGATMA1" -Einziper.

BSC0906NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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