International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC750N10NDGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC750N10NDGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.BSC750N10NDGATMA1.pdf
2.BSC750N10NDGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 12µA
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8 Dual
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 13A, 10V
Leistung - max

26W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

BSC750N10ND G
BSC750N10ND G-ND
BSC750N10ND GTR
BSC750N10ND GTR-ND
BSC750N10NDG
BSC750N10NDGATMA1TR
SP000359610
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.2A
Basisteilenummer

BSC750N10

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Das Folgende sind "BSC750N10NDGATMA1" -Einziper.

BSC500N20NS3GATMA1

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSC750N10NDGATMA1

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