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3636045BSF050N03LQ3GXUMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSF050N03LQ3GXUMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BSF050N03LQ3GXUMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.2W (Ta), 28W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    3-WDSON
  • Andere Namen
    BSF050N03LQ3 GCT
    BSF050N03LQ3 GCT-ND
    BSF050N03LQ3GXUMA1CT
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 15A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    15A (Ta), 60A (Tc)
BSF083N03LQ G

BSF083N03LQ G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSF035NE2LQXUMA1

BSF035NE2LQXUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPP65R660CFDAAKSA1

IPP65R660CFDAAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO-220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IXTH36P10

IXTH36P10

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 36A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
BSF053N03LT G

BSF053N03LT G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPU95R450P7AKMA1

IPU95R450P7AKMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 14A TO251

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
AOB42S60L

AOB42S60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37A TO263

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
PHP28NQ15T,127

PHP28NQ15T,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 28.5A TO220AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BSF-HD

BSF-HD

Beschreibung: 9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
BSF030NE2LQXUMA1

BSF030NE2LQXUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
DMS2085LSD-13

DMS2085LSD-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.3A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSF450NE7NH3XUMA1

BSF450NE7NH3XUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSF045N03MQ3 G

BSF045N03MQ3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
APT17F80S

APT17F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
BSF134N10NJ3GXUMA1

BSF134N10NJ3GXUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SQJA76EP-T1_GE3

SQJA76EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BSF

BSF

Beschreibung: 9V FEMALE SNAP 6-SIDED

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
BSF077N06NT3GXUMA1

BSF077N06NT3GXUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

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