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6634751BSP295H6327XTSA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP295H6327XTSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BSP295H6327XTSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 400µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-SOT223-4
  • Serie
    SIPMOS®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 1.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.8W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Andere Namen
    BSP295H6327XTSA1TR
    SP001058618
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    368pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.8A (Ta)
BSP297 E6327

BSP297 E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP295E6327T

BSP295E6327T

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP254A,126

BSP254A,126

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BSP19TA

BSP19TA

Beschreibung: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BSP220,115

BSP220,115

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BSP296L6327HTSA1

BSP296L6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP296NL6327HTSA1

BSP296NL6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP296L6433HTMA1

BSP296L6433HTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP250,135

BSP250,135

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BSP295E6327

BSP295E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP296 E6433

BSP296 E6433

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP296NH6433XTMA1

BSP296NH6433XTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP295L6327HTSA1

BSP295L6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP230,135

BSP230,135

Beschreibung: MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BSP296NH6327XTSA1

BSP296NH6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP19AT1G

BSP19AT1G

Beschreibung: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BSP250,115

BSP250,115

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BSP296E6327

BSP296E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSP225,115

BSP225,115

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223

Hersteller: Nexperia
vorrätig

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