International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP315PE6327T

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Spezifikation

Artikelnummer

BSP315PE6327T
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

BSP315PE6327T.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 160µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 1.17A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

BSP315PXTINDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.17A (Ta)

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Das Folgende sind "BSP315PE6327T" -Einziper.

BSP316PE6327T

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSP315PE6327T

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