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BSS123L6327HTSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BSS123L6327HTSA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BSS123L6327HTSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    SIPMOS®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 Ohm @ 170mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    360mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BSS123 L6327
    BSS123 L6327-ND
    BSS123L6327HTSA1TR
    BSS123L6327INTR
    BSS123L6327INTR-ND
    BSS123L6327XT
    SP000084574
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    69pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.67nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    170mA (Ta)

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Das Folgende sind "BSS123L6327HTSA1" -Einziper.
BSS123L7874XT

BSS123L7874XT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123-7

BSS123-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BSS123E6327

BSS123E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123L6433HTMA1

BSS123L6433HTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123LT1G

BSS123LT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS123/LF1R

BSS123/LF1R

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123-7-F

BSS123-7-F

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BSS123LT1

BSS123LT1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS123

BSS123

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS123L

BSS123L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS123LT3

BSS123LT3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123 E6433

BSS123 E6433

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123,215

BSS123,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BSS123TA

BSS123TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BSS123ATC

BSS123ATC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BSS123TC

BSS123TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BSS123LT3G

BSS123LT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS123ATA

BSS123ATA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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