International Rectifier (Infineon Technologies)

BSS225L6327HTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSS225L6327HTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSS225L6327HTSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 94µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SOT89
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 Ohm @ 90mA, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-243AA
Andere Namen

BSS225 L6327
BSS225 L6327-ND
BSS225L6327HTSA1TR
BSS225L6327XT
SP000095776
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

131pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

90mA (Ta)

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Das Folgende sind "BSS225L6327HTSA1" -Einziper.

BSS223PW L6327

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSS225L6327HTSA1

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