International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ025N04LSATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSZ025N04LSATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSZ025N04LSATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TSDSON-8-FL
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta), 69W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSZ025N04LSATMA1TR
SP001252032
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3680pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A (Ta), 40A (Tc)

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Das Folgende sind "BSZ025N04LSATMA1" -Einziper.

BSZ040N06LS5ATMA1

Beschreibung: MV POWER MOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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