BTS282ZE3180AATMA2

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Spezifikation

Artikelnummer

BTS282ZE3180AATMA2
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BTS282ZE3180AATMA2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 240µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-7-1
Serie

TEMPFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 36A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Andere Namen

BTS282ZE3180AATMA2CT
Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

232nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Temperature Sensing Diode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

49V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "BTS282ZE3180AATMA2" -Einziper.

BTS247Z E3062A

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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