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D650N02TXPSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    D650N02TXPSA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 650A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    D650N02TXPSA1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 450A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-200AA, A-PUK
  • Andere Namen
    D650N02T
    D650N02T-ND
    SP000782532
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 180°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 650A Chassis Mount
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    20mA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    650A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "D650N02TXPSA1" -Einziper.
GP10A-M3/73

GP10A-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
F1T5GHA1G

F1T5GHA1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1ML MTG

S1ML MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SR154-400TE25A

1SR154-400TE25A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GDP50P120B

GDP50P120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
6A20G B0G

6A20G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
FES8JTHE3/45

FES8JTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
D6505I

D6505I

Beschreibung: LASER DIODE 650NM 5MW TO18

Hersteller: US-Lasers, Inc.
vorrätig
RFQ
BAS16WF

BAS16WF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
RSFAL MTG

RSFAL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 500MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
D650N06TXPSA1

D650N06TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 650A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
D650PK

D650PK

Beschreibung: SOLDERING GUN 200W 300W 120V

Hersteller: Apex Tool Group
vorrätig
RFQ
A170D

A170D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
NRVB8H100MFST3G

NRVB8H100MFST3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
5820SMGE3/TR13

5820SMGE3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
PD3S230H-7

PD3S230H-7

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A POWERDI323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
D650

D650

Beschreibung: SOLDERING GUN 200W 260W 120V

Hersteller: Apex Tool Group
vorrätig
RFQ
STPS20L15G

STPS20L15G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 15V 20A D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RS1JLS RVG

RS1JLS RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DSEP15-12CR

DSEP15-12CR

Beschreibung: DIODE GP 1.2KV 15A ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
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