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D770N16TXPSA1

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    D770N16TXPSA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.6KV 770A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    D770N16TXPSA1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.08V @ 400A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-200AA, A-PUK
  • Andere Namen
    D770N16T
    D770N16T-ND
    SP000785152
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 180°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1600V 770A Chassis Mount
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    30mA @ 1600V
  • Strom - Richt (Io)
    770A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "D770N16TXPSA1" -Einziper.
R7201606XXOO

R7201606XXOO

Beschreibung: DIODE GP 1.6KV 600A DO200AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
VS-70HFL40S02

VS-70HFL40S02

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-20ETS08-M3

VS-20ETS08-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RSFALHRTG

RSFALHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 500MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
D770N12TXPSA1

D770N12TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 770A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
1N6641US

1N6641US

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
D77413-000

D77413-000

Beschreibung: HEATSHRINK RHW POLY 20MMX4' BLK

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
RD1006LS-SB5

RD1006LS-SB5

Beschreibung: DIODE GEN PURP 10A TO220FI

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SF44GHR0G

SF44GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S3KHE3_A/H

S3KHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS35HE-TP

SS35HE-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 3A SOD123HE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
CR3F-020 TR

CR3F-020 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
VBT4045BP-M3/4W

VBT4045BP-M3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40A 45V TO-263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTXV1N3766

JANTXV1N3766

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
D770N14TXPSA1

D770N14TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 770A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
V30100SG-E3/4W

V30100SG-E3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SD101BW-E3-08

SD101BW-E3-08

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
D770N18TXPSA1

D770N18TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV 770A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
LL4005G L0

LL4005G L0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
D770N20TXPSA1

D770N20TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 770A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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