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D901S45T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    D901S45T
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 4.5KV 1225A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3.5V @ 2500A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    4500V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-200AD
  • Andere Namen
    SP000091324
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 4500V 1225A Chassis Mount
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    250mA @ 4500V
  • Strom - Richt (Io)
    1225A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
VS-150K30A

VS-150K30A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
U1D-E3/5AT

U1D-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
STTH8R04D

STTH8R04D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
JANTXV1N5415

JANTXV1N5415

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
EP01CV

EP01CV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 200MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
JANTX1N6640

JANTX1N6640

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA

Hersteller: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
vorrätig
BYWE29-200-E3/45

BYWE29-200-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4001-E3/54

1N4001-E3/54

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAT42-L0 R0G

BAT42-L0 R0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY DO-35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SD101A-TP

SD101A-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 15MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
TSSA3U60 R3G

TSSA3U60 R3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BYG24JHM3_A/H

BYG24JHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5393GHB0G

1N5393GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
AU1PKHM3/85A

AU1PKHM3/85A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RBR2MM40BTR

RBR2MM40BTR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SGL41-30-E3/96

SGL41-30-E3/96

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
JANTXV1N4946

JANTXV1N4946

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
D904-5-5.6

D904-5-5.6

Beschreibung: LASER DIODE 904NM 5MW TO18

Hersteller: US-Lasers, Inc.
vorrätig
SS23LHR3G

SS23LHR3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
R3560PF

R3560PF

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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