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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > IKY50N120CH3XKSA1
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IKY50N120CH3XKSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IKY50N120CH3XKSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 100A TO247-4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.35V @ 15V, 50A
  • Testbedingung
    600V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    32ns/296ns
  • Schaltenergie
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO247-4
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    255ns
  • Leistung - max
    652W
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-4
  • Andere Namen
    SP001465126
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    Not Applicable
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    52 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • Gate-Ladung
    235nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT 1200V 100A 652W Through Hole PG-TO247-4
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    200A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100A
IKY40N120CS6XKSA1

IKY40N120CS6XKSA1

Beschreibung: IGBT 1200V 40A TO247PLUS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IKY75N120CS6XKSA1

IKY75N120CS6XKSA1

Beschreibung: IGBT 1200V 75A TO247PLUS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IXYK100N65B3D1

IXYK100N65B3D1

Beschreibung: IGBT

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RGT50TS65DGC11

RGT50TS65DGC11

Beschreibung: IGBT 650V 48A 174W TO-247N

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
FGA6540WDF

FGA6540WDF

Beschreibung: IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IKY40N120CH3XKSA1

IKY40N120CH3XKSA1

Beschreibung: IGBT 1200V 80A TO247-4

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IKW30N60DTPXKSA1

IKW30N60DTPXKSA1

Beschreibung: IGBT 600V 53A TO247-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
APT40GR120S

APT40GR120S

Beschreibung: IGBT 1200V 88A 500W D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
IXGH20N60AU1

IXGH20N60AU1

Beschreibung: IGBT 600V 40A 150W TO247AD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXGR32N170AH1

IXGR32N170AH1

Beschreibung: IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IRGR4607DTRRPBF

IRGR4607DTRRPBF

Beschreibung: IGBT 600V 11A 58W DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IKU06N60RBKMA1

IKU06N60RBKMA1

Beschreibung: IGBT 600V 12A 100W TO251-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FGA6560WDF

FGA6560WDF

Beschreibung: IGBT 650V 120A 306W TO-3PN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IXGP12N100AU1

IXGP12N100AU1

Beschreibung: IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

Beschreibung: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
IXSH10N60B2D1

IXSH10N60B2D1

Beschreibung: IGBT 600V 20A 100W TO247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IKY75N120CH3XKSA1

IKY75N120CH3XKSA1

Beschreibung: IGBT 1200V 150A TO247-4

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
FGH60N60SMD

FGH60N60SMD

Beschreibung: IGBT 600V 120A 600W TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IRGS14C40LPBF

IRGS14C40LPBF

Beschreibung: IGBT 430V 20A 125W D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
STGP10M65DF2

STGP10M65DF2

Beschreibung: IGBT 650V 10A TO-220AB

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig

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