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4540207IPB020N10N5LFATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB020N10N5LFATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB020N10N5LFATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V D2PAK-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB020N10N5LFATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.1V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3
  • Serie
    OptiMOS™-5
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    313W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB020N10N5LFATMA1DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    840pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    120A (Tc)

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IPB019N06L3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB025N08N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB017N06N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB017N08N5ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB021N06N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB023N04NGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB017N10N5LFATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB020NE7N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

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IPB025N10N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

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