IPB032N10N5ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB032N10N5ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB032N10N5ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.8V @ 125µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-7
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 83A, 10V
Verlustleistung (max)

187W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Andere Namen

SP001607808
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6970pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

166A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB032N10N5ATMA1" -Einziper.

IPB029N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB032N10N5ATMA1

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