Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB160N04S4H1ATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4107831IPB160N04S4H1ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB160N04S4H1ATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1000+
$1.185
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB160N04S4H1ATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 110µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-7-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    167W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Andere Namen
    IPB160N04S4H1ATMA1TR
    SP000711252
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10920pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    137nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 160A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    160A (Tc)
IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N03S4LH0ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB16CN10N G

IPB16CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH TO262-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden