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1057996IPB80N06S3L-05-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S3L-05

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB80N06S3L-05
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB80N06S3L-05.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 115µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 69A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    165W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB80N06S3L-05INCT
    IPB80N06S3L05
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    13060pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    273nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 80A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    80A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB80N06S4L05ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB80N06S407ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

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vorrätig
RFQ
IPB80N06S2L11ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N06S4L05ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N07S405ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N06S3-07

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

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vorrätig
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IPB80N06S2L06ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S2L09ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S2L07ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S4L07ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

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IPB80N06S3L-06

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

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vorrätig
RFQ
IPB80N06S3-05

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S2LH5ATMA4

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S2L09ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S2L11ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S4L07ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

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IPB80N06S407ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

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IPB80N06S405ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

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RFQ
IPB80N06S2L07ATMA3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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