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234670IPB80P04P405ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80P04P405ATMA1

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  • Artikelnummer
    IPB80P04P405ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB80P04P405ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.9 mOhm @ 80A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    125W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    SP000652618
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    151nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 40V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    80A (Tc)

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IPB80P03P4L07ATMA1

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IPB80N08S207ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB90N06S4L04ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

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IPB80P03P4L04ATMA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

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IPB80N06S4L05ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

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IPB80P04P4L04ATMA1

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IPB90N06S4L04ATMA1

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IPB80N08S406ATMA1

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IPB80P04P4L08ATMA1

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IPB80N08S2L07ATMA1

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