2026826

IPC302N08N3X1SA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPC302N08N3X1SA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPC302N08N3X1SA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 270µA
Vgs (Max)

-
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

Sawn on foil
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung / Gehäuse

Die
Andere Namen

SP000476912
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1A (Tj)

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Das Folgende sind "IPC302N08N3X1SA1" -Einziper.

IPC302N25N3X1SA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPC302N08N3X1SA1

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