1966312

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD25N06S4L30ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD25N06S4L30ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD25N06S4L30ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 8µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3-11
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

29W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD25N06S4L-30
IPD25N06S4L-30-ND
IPD25N06S4L-30TR
IPD25N06S4L-30TR-ND
IPD25N06S4L30ATMA1TR
SP000481508
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1220pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A (Tc)

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IPD26N06S2L35ATMA2

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD25N06S4L30ATMA1

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