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6484172IPD50R500CEBTMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R500CEBTMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD50R500CEBTMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IPD50R500CEBTMA1.pdf
    2.IPD50R500CEBTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 mOhm @ 2.3A, 13V
  • Verlustleistung (max)
    57W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD50R500CE
    IPD50R500CEBTMA1TR
    IPD50R500CEINTR
    IPD50R500CEINTR-ND
    SP000988424
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    433pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Super Junction
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    13V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.6A (Tc)

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IPD50R399CPATMA1

IPD50R399CPATMA1

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vorrätig
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IPD50R380CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50R800CEATMA1

IPD50R800CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N CH 500V 5A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50R399CP

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Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 9A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD50R3K0CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

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vorrätig
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IPD50R520CPATMA1

IPD50R520CPATMA1

Beschreibung: LOW POWER_LEGACY

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vorrätig
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IPD50R500CEATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252

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vorrätig
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IPD50R520CP

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Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252

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vorrätig
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IPD50R399CPBTMA1

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Beschreibung: LOW POWER_LEGACY

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IPD50R380CEAUMA1

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Beschreibung: MOSFET NCH 500V 14.1A TO252

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vorrätig
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IPD50R650CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

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IPD50R650CEAUMA1

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Beschreibung: CONSUMER

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IPD50R520CPBTMA1

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Beschreibung: LOW POWER_LEGACY

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IPD50R650CEATMA1

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Beschreibung: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

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IPD50R3K0CEAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

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IPD50R500CEAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252

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IPD50R800CEAUMA1

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Beschreibung: CONSUMER

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IPD50R800CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N CH 500V 5A TO252

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IPD50R950CEATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252

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IPD50R380CEATMA1

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Beschreibung: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

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