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5693691IPD60R3K3C6ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R3K3C6ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD60R3K3C6ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD60R3K3C6ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 40µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™ C6
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    18.1W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD60R3K3C6ATMA1DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    93pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.7A (Tc)

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IPD60R450E6ATMA1

IPD60R450E6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R380E6ATMA2

IPD60R380E6ATMA2

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R520C6ATMA1

IPD60R520C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R400CEAUMA1

IPD60R400CEAUMA1

Beschreibung: CONSUMER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R520C6BTMA1

IPD60R520C6BTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R360P7SAUMA1

IPD60R360P7SAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R3K4CEAUMA1

IPD60R3K4CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R380E6BTMA1

IPD60R380E6BTMA1

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R385CPBTMA1

IPD60R385CPBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R520CPATMA1

IPD60R520CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R400CEATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R460CEAUMA1

IPD60R460CEAUMA1

Beschreibung: CONSUMER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD60R385CPATMA1

IPD60R385CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD60R3K3C6

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R380C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD60R460CEATMA1

IPD60R460CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

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IPD60R380P6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V DPAK-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R380P6BTMA1

IPD60R380P6BTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R450E6BTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3

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IPD60R380C6

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252

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