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6143571IPD60R600C6BTMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R600C6BTMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD60R600C6BTMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD60R600C6BTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    63W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD60R600C6
    IPD60R600C6BTMA1TR
    IPD60R600C6INTR
    IPD60R600C6INTR-ND
    SP000660622
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    440pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.3A (Tc)

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IPD60R600P6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

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IPD60R600CPBTMA1

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IPD60R600CPATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252

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IPD60R520C6ATMA1

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IPD60R460CEATMA1

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IPD60R520CPATMA1

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IPD60R400CEAUMA1

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IPD60R460CEAUMA1

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IPD60R600C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

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IPD60R600E6

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

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IPD60R520C6BTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

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IPD60R600P6

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

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IPD60R600P7ATMA1

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IPD60R520CPBTMA1

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