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466257IPD640N06LGBTMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD640N06LGBTMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD640N06LGBTMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD640N06LGBTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 16µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64 mOhm @ 18A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    47W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD640N06LGBTMA1CT
    IPD640N06LGINCT
    IPD640N06LGINCT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    470pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 18A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A (Tc)

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IPD60R800CEATMA1

IPD60R800CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R750E6BTMA1

IPD60R750E6BTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R650CEAUMA1

IPD60R650CEAUMA1

Beschreibung: CONSUMER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R600P7SAUMA1

IPD60R600P7SAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R650CEBTMA1

IPD60R650CEBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R650CEATMA1

IPD60R650CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD64CN10N G

IPD64CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R1K4CFDBTMA1

IPD65R1K4CFDBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R1K4CFDATMA1

IPD65R1K4CFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R225C7ATMA1

IPD65R225C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R250C6XTMA1

IPD65R250C6XTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R800CEAUMA1

IPD60R800CEAUMA1

Beschreibung: CONSUMER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R250E6XTMA1

IPD65R250E6XTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R1K5CEAUMA1

IPD65R1K5CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

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IPD65R1K4C6ATMA1

IPD65R1K4C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R950C6

IPD60R950C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

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vorrätig
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IPD65R1K0CEAUMA1

IPD65R1K0CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO-252

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IPD60R750E6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252

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