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3859541IPD65R600E6ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R600E6ATMA1

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  • Artikelnummer
    IPD65R600E6ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD65R600E6ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 210µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™ E6
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    63W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    SP001117096
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    440pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    650V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.3A (Tc)

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IPD65R380E6BTMA1

IPD65R380E6BTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R420CFDAATMA1

IPD65R420CFDAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R660CFDATMA1

IPD65R660CFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R660CFDBTMA1

IPD65R660CFDBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R420CFDATMA1

IPD65R420CFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R380C6ATMA1

IPD65R380C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R600E6BTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R950C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R600C6BTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R650CEATMA1

IPD65R650CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

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IPD65R950CFDBTMA1

IPD65R950CFDBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R950CFDATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R650CEAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO-252

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IPD65R380C6BTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

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IPD65R380E6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

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IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD70N03S4L04ATMA1

IPD70N03S4L04ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD65R600C6ATMA1

IPD65R600C6ATMA1

Beschreibung: LOW POWER_LEGACY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R420CFDBTMA1

IPD65R420CFDBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

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