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IPD90N06S407ATMA2

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  • Artikelnummer
    IPD90N06S407ATMA2
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD90N06S407ATMA2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 40µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3-11
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.9 mOhm @ 90A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    79W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    SP001028680
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    90A (Tc)

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IPD90N06S404ATMA2

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IPD90N10S406ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

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IPD90N04S402ATMA1

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